安帽電緣性能測(cè)試儀    型號(hào)：DP-A704

安帽電緣性能測(cè)試儀儀器用途： 
用于測(cè)試安帽對(duì)電的緣性能。

 試驗(yàn)方法 
優(yōu)采用方法2和方法3行測(cè)量，兩種檢測(cè)方法同時(shí)合格為合格。 
如果安帽有通氣孔、金屬零件貫穿帽殼等情況時(shí)采用方法1和方法3，兩種檢測(cè)方法同時(shí)合格為合格。 
測(cè)試之前需將安帽行預(yù)處理： 
預(yù)處理方法：浸水，放置在溫度20℃±2℃，濃度為3g/L的氯化鈉溶液的水槽里浸泡24h，從溶液中取出安帽后應(yīng)在2min內(nèi)將安帽表面擦干。 
以上預(yù)處理要求可配合A705安帽綜合預(yù)處理箱（含紫外線(xiàn)老化、溫箱、低溫箱、恒溫水浸泡箱、調(diào)溫調(diào)濕箱）

方法1：將安帽放在頭模上，將頭箍鎖緊；將探頭接觸安帽外表面的意處，端為半形；在頭模和探頭之間施加交流測(cè)試電壓，調(diào)整測(cè)試電壓在1min內(nèi)將電壓增加至1200V±25V，保持15s；重復(fù)行測(cè)試，每安帽測(cè)試10個(gè)點(diǎn)。記錄泄漏電流的大小及可能的擊穿現(xiàn)象。 
方法2：將安帽倒放在合適的容器中，在容器和帽殼中注入3g/L的氯化鈉溶液，直至溶液面距帽殼邊緣10mm為止。將電分別放入帽殼內(nèi)外的溶液中，調(diào)整測(cè)試電壓在1min內(nèi)增加至1200V±25V，保持15s。記錄泄漏電流的大小及可能的擊穿現(xiàn)象。 
方法3：用兩個(gè)探頭接觸安帽外表面上意兩點(diǎn)并施加電壓，兩點(diǎn)間的距離不小于20mm。調(diào)整測(cè)試電壓在1min內(nèi)增加至1200V±25V，保持15s；測(cè)量安帽表面兩點(diǎn)間的泄漏電流，重復(fù)行測(cè)試，每安帽測(cè)試10個(gè)點(diǎn)，記錄泄漏電流的大小及可能的擊穿現(xiàn)象

 主要參數(shù)： 
1、電流表示值誤差±1%
2、電壓表示值誤差±1%
3、計(jì)時(shí)器示值誤差±1%
4、探頭直徑4mm，端為半形。 
5、能在1min內(nèi)電壓增加至1200V±25V，保持15s。 
6、調(diào)壓器：量程1500V

 特征 
1、優(yōu)質(zhì)不銹鋼儲(chǔ)水槽。 
2、LED數(shù)字顯示電流、電壓值。

 符合標(biāo)準(zhǔn) 
GB/T 2812－2006《安帽測(cè)試方法》內(nèi)的電緣的性能測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求。 
GB/T 2811－2007《安帽》

2.